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本发明涉及高稳定低损耗发射压电陶瓷材料及其制备方法，属于电子元器件制造领域。本发明基本化学组成为ｘＰｂＴｉＯ↓［３］＋ｙＰｂＺｒＯ↓［３］＋ｚＢａＴｉＯ↓［３］＋ｗＳｒＴｉＯ↓［３］＋ｕＣａＦｅＯ↓［５／２］；复合有ｆｗｔ．％的Ｃｒ↓［２］...该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。
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本发明涉及高稳定低损耗发射压电陶瓷材料及其制备方法，属于电子元器件制造领域。本发明基本化学组成为ｘＰｂＴｉＯ↓［３］＋ｙＰｂＺｒＯ↓［３］＋ｚＢａＴｉＯ↓［３］＋ｗＳｒＴｉＯ↓［３］＋ｕＣａＦｅＯ↓［５／２］；复合有ｆｗｔ．％的Ｃｒ↓［２］...