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一种半导体器件，其特征在于，该器件包括：　　　　半导体衬底，其具有分别形成于该半导体衬底的一个表面上的元件隔离绝缘膜和用于ＭＯＳ场效应晶体管的栅极绝缘膜；　　　　形成于该元件隔离绝缘膜上的电容器，该电容器具有按顺序将下电极、电容器绝缘膜和上...
该专利属于雅马哈株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过雅马哈株式会社授权不得商用。

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