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一种具有梯形量子阱结构的发光二极管，包括在衬底１０上，以常规技术依次生长缓冲层１１、ｎ型掺杂的ＧａＮ层１２、ｎ型掺杂的ＧａＮ层１３、ｎ型掺杂的ＡｌＧａＮ层２０、Ｎ个量子阱２２、ｐ型掺杂的ＡｌＧａＮ层２１、ｐ型掺杂的ＧａＮ层１５，透明电极１６...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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