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本发明公开一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括衬底；中间层设于衬底的上侧，中间层包括外延层和氧化层，中间层的上部形成有多个沟槽，多个沟槽包括多个位于终端区的终端区沟槽，各沟槽具有对应外延层的第一内壁，第一内壁上设有栅氧化层，栅氧化...
该专利属于广微集成技术（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广微集成技术（深圳）有限公司授权不得商用。

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