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本实用新型涉及一种存储电容器，特别是用于集成电路中ＬＣＯＳ芯片像素单元的存储电容器，属于信息科学技术学科的微电子应用技术领域。它是ＮＭＯＳ型结构，包括二氧化硅绝缘层、Ｐ型硅衬底层、Ａ点、Ｂ点、单层多晶硅，第１层多晶硅、栅氧化层，ｎ型反型层、...
该专利属于南开大学所有，仅供学习研究参考，未经过南开大学授权不得商用。

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