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本实用新型提供一种ＭＯＳＦＥＴ和肖特基二极管结合的瘦小外形封装，其包含ＭＯＳＦＥＴ　　Ｓ极，ＭＯＳＦＥＴ　　Ｇ极，ＭＯＳＦＥＴ　　Ｄ极，肖特基二极管的Ｋ极和Ａ极，该ＭＯＳＦＥＴ的Ｄ极与肖特基二极管的Ａ极位于同一侧；还包含一引线框架，该引线框...
该专利属于万代半导体元件（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万代半导体元件（上海）有限公司授权不得商用。

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