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本发明涉及一种高性能位置灵敏探测器及其制备方法，其选用单层p型石墨烯与n型半导体层结合，在p型石墨烯与n型半导体层之间插入依次并列排布第一绝缘层、修复层和第二绝缘层，绝缘层阻隔N型半导体层与单层石墨烯的接触，修复层修复了石墨烯层与n型半导体...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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