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本发明公开了一种忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括从上到下依次设置的顶电极、阻变层及底电极，所述底电极为含硅衬底，所述阻变层为含硅衬底表面形成的天然氧化层。本发明中的忆阻器采用天然氧化层作为阻变层，天然氧化层是由空气自然氧化形成，具有厚...
该专利属于广州大学所有，仅供学习研究参考，未经过广州大学授权不得商用。

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