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一种种ＳｉＣ肖特基紫外探测器，特征在于：其衬底（１）是ｎ＋型半导体ＳｉＣ，衬底（１）背面是采用电子束蒸发并合金形成欧姆接触的Ｔｉ、Ｎｉ和Ａｇ三层金属或Ｎｉ单层金属（２），衬底（１）上面是ｎ型ＳｉＣ外延层（３），外延层（３）上面直径３００μｍ...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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