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本发明涉及一种局部多孔硅微针阵列及其制备方法，所述制备方法包括：S1、在硅片表面制备双层薄膜；S2、转移掩模版的图案，在硅片上制备电化学刻蚀的掩膜；S3、电化学刻蚀，在硅片上制备局部多孔硅；S4、在硅片上制备干法刻蚀的图案化铝掩膜；S5、在...
该专利属于江苏大学所有，仅供学习研究参考，未经过江苏大学授权不得商用。

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