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薄膜场效应管用ＭＰＸ做开关半导体，Ｍ是至少一种碱金属，Ｐ是至少一种氮族元素，Ｘ从１５到无穷．公开的金属绝缘半导体和金属半导体场效应管中半导体可掺０．５％的镍、铁或铭而不增加导电率也可掺杂０．５－１％以增加导电率．源与漏极下的区域掺杂２－３％...
该专利属于斯托弗化学公司所有，仅供学习研究参考，未经过斯托弗化学公司授权不得商用。

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