专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
武汉工业大学
>
提高场效应晶体管柱绝缘性的方法技术
>技术资料下载
下载提高场效应晶体管柱绝缘性的方法的技术资料
文档序号:3223864
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明是一种处理场效应晶体管柱封装的玻璃表面,提高其绝缘性的方法,该方法是采用有机硅烷对场效应晶体管柱进行处理,处理过程为:清洗表面,有机硅烷浸泡,红外干燥,固化,抽取,再红外干燥,干燥器中干燥。本发明具有工艺过程简单,易于操作,无毒害作用...
该专利属于武汉工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过武汉工业大学授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。