下载提高场效应晶体管柱绝缘性的方法的技术资料

文档序号:3223864

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本发明是一种处理场效应晶体管柱封装的玻璃表面,提高其绝缘性的方法,该方法是采用有机硅烷对场效应晶体管柱进行处理,处理过程为:清洗表面,有机硅烷浸泡,红外干燥,固化,抽取,再红外干燥,干燥器中干燥。本发明具有工艺过程简单,易于操作,无毒害作用...
该专利属于武汉工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过武汉工业大学授权不得商用。

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