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一种用于直接键合半导体片的工艺方法，采用氧化、表面处理和热处理的方法实现，其特点是将经过镜面抛光的硅片氧化后，对绝缘层表面进行表面结合键增强处理，热处理采用低温处理和高温处理相结合的方法。本发明具有键合面积大、可靠和工艺方便、设备简单、成本...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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