温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

用辉光放电的方法，制备出非晶态硅碳氢膜，并应用于半导体器件表面钝化。这种钝化工艺实用简单，能够有效地克服了用ＳｉＯ－［２］、Ｓｉ－［３］Ｎ－［４］、Ａｌ－［２］Ｏ－［３］等常规钝化方法给半导体器件带来的缺点，也克服了用ａ－Ｓｉ：Ｈ作钝化膜而...
该专利属于兰州大学所有，仅供学习研究参考，未经过兰州大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。