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在衬底和上部外延层间具有大晶格失配的异质结结构及形成有薄中间层结构的方法。靠形成局域的和光电惰性的刃型位错来部分消除中间层和衬底间晶格失配产生的应变。中间层在其厚度达到剩余应变会被６０度穿透位错消除前中止生长。此后，以无应变和无缺陷条件在中...
该专利属于ＩＢＭ国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＩＢＭ国际商业机器公司授权不得商用。

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