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本发明为高临界温度（９０Ｋ）超导薄膜制备方法。采用超高真空系统，单个化合物靶，高气压低电压直流磁控溅射，原位外延生长，原位低温热处理制备工艺，用于制备ＭＢａ－［２］Ｃｕ－［３］Ｏ－［７］型高临界温度氧化物超导薄膜（Ｍ＝Ｙ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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