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本发明涉及一种ＭＯＳ型硅半导体三维磁矢敏感器及其制造方法，属于微电子学和半导体集成传感器领域。该敏感器有温度稳定性好、工作电压范围宽、输入阻抗高、灵敏度高等优点，且能与其他ＭＯＳ或双极型器件集成于同一芯片，制成带信号处理电路的高性能敏感器，...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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