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一种ＮＭＯＳ晶体管，有一个由ｎ↑［＋］型半导体材料构成的源和漏。由Ｐ型半导体材料组成的衬底区设于源和漏之间。栅区安排在衬底区的上方、及源和漏区之间。第一注入区邻近源区和栅区，由具有第一掺杂浓度的Ｐ型半导体材料构成。第二注入区安排在第一注入区...
该专利属于摩托罗拉公司所有，仅供学习研究参考，未经过摩托罗拉公司授权不得商用。

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