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本发明的目的是，在使用促进结晶化的催化剂元素于５５０℃进行４小时加热处理而得到结晶性硅的方法中，精确地控制催化剂元素的引入量。在玻璃衬底１１上形成的无定型硅膜１２，进而在该无定型硅膜１２上形成掩模２１，将含有１０～２００ｐｐｍ（需调整）镍等...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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