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本发明涉及一种在金属层间作为阻断Ｓｉ原子扩散用的扩散阻挡层－ＴｉＮＯ金属阻挡层的制作方法。该方法包含以下步骤：使用Ａｒ和Ｎ↓［２］气体，通过溅射设备制成－ＴｉＮ膜；在ＴｉＮ膜上部注入Ｎ↓［２］Ｏ气体；把所生成的膜层在Ｎ↓［２］气氛下退火，使...
该专利属于现代电子产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代电子产业株式会社授权不得商用。

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