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在一块衬底上所形成的单片有源矩阵电路中，至少用于驱动矩阵区的构成外围电路的一部分薄膜晶体管（ＴＦＴ）的有源区添加了浓度为１×１０↑［１６］－５×１０↑［１９］ｃｍ↑［－３］的促进硅结晶化的金属元素，没有金属元素添加到矩阵区的ＴＦＴ有源区。至...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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