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本发明涉及一种高光电转换效率的金属－半导体复合膜，其特征是在具有分离和收集电子作用的半导体材料层的上方存在一个金属（或／和半导体等）的超细微粒薄层，当其中超细微粒的尺寸满足共振吸收条件时，构成多重垂直结量子阱。电子吸收光子后，成为受激电子；...
该专利属于解青华所有，仅供学习研究参考，未经过解青华授权不得商用。

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