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一种ＥＳＤ保护器件及在无场氧化物（１４）的有源区（１３）制造该器件的方法。用光刻技术在半导体基片上形成由一间隔区（２９）分隔开的Ｐ型掺杂区（２２）和Ｎ型掺杂区（２７）。阳极（３３）与Ｐ型掺杂区（２２）接触，阴极（３４）与Ｎ型掺杂区（２７）接...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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