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一种半导体器件，特别是交错型薄膜晶体管，包括：一种含Ｎ或Ｐ型杂质的半导体区；在半导体区之上或之下设置的一层，所述层含有催化元素，对非晶硅的晶化起加速作用，并具有基本与半导体区相同的形状；覆盖半导体区的基本上为本征的半导体层；覆盖半导体区的基...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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