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一种有高释出电压的光电元件，它能抑制载流子从上电极注入处于发生层的最上层处的ｐ－半导体中。按本发明的光电元件、其中，用“ｎ”表示的ｎ－型半导体层。用“ｉ”表示的ｉ－型半导体层和用“ｐ”表示的ｐ－型层依次叠置于衬底上，构成包含ｎｉｐ结的结构，...
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