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本发明公开了一种硅基垂直腔面发射激光器，包括单晶Si衬底，在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有多层复合结构缓冲层和III
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该专利属于电子科技大学中山学院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学中山学院授权不得商用。

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