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本发明揭示一种形成半导体器件精细图案的方法，该方法包括以下步骤：提供硅衬底；在硅衬底表面覆盖图案材料以形成图案布图；此外，在包括所述布图区在内的硅衬底表面设置多个虚设图案，每个虚设图案的宽度小于允许光刻产生的最小宽度；利用上面设置有所述精细...
该专利属于现代电子产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代电子产业株式会社授权不得商用。

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