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一种测量半导体器件结区漏电流的方法，该法是在隔离元件的氧化膜形成之后通过实行简单的加工步骤能完成漏电流的简单而精确的测量。该法包括以下各步骤：制备一块主导电类型的硅基片；在该主导电类型硅基片上形成隔离元件的氧化膜，因而在所说的主导电类型的硅...
该专利属于现代电子产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代电子产业株式会社授权不得商用。

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