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一种形成半导体器件精细图形的方法，该方法包括下列步骤：准备晶片；氧化晶片的上表面，形成氧化膜；在已氧化的晶片上涂敷光致抗蚀剂；及使该光致抗蚀剂曝光和显影，形成光致抗蚀剂图形。该方法能防止在图形的底部发生底膜或钻蚀，从而使图形的宽度容易控制。...
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