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半导体器件的曝光掩模及其制造方法技术
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文档序号:3222417
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一种用于形成微细图形的曝光掩膜,包括透明电极,在透明电极上形成的铬图形,和在发生绕射效应的铬图形的区域上形成的辅助图形。借助辅助图形,可防止由绕射效应而减小图形尺寸的现象出现。因此,可正确地形成具有预定尺寸的图形。各辅助图形具有条形,倒三角...
该专利属于现代电子产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过现代电子产业株式会社授权不得商用。
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