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在制造半导体器件过程中，形成各种类型的绝缘膜，在成膜期间，通过输入活化的氢和氧化氮，使碳气化成ＣＨ↓［ｘ］，ＣＯＨ及诸如此类的气体，以便在成膜期间减少含碳量，从而改善了阻挡诸如碱金属杂质的效果。...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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