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半导体衬底的制造方法，包括以下步骤：设置有生长在其上的多孔单晶硅层和无孔单晶硅层的第１部件，将第１部件的无孔硅层叠放在第２部件上，第１与第２部件间有设置于第１和第２部件的至少一叠放面上的绝缘层，腐蚀掉多孔单晶硅层，其中，以控制的低生长速率生...
该专利属于佳能株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过佳能株式会社授权不得商用。

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