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本发明涉及一种碳化硅生长工艺，具体涉及一种电阻式方形碳化硅单晶生长工艺。该生长工艺主要包括：机械泵抽真空阶段、机械泵与分子泵抽高真空阶段、初加热阶段、引晶阶段、生长阶段、降温阶段。其特征在于：首先通过机械泵对单晶炉腔体抽低真空，启动分子泵，...该专利属于哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司授权不得商用。