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本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。＄使非晶硅膜２０３的特定的区域２０５保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用２０７示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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