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本发明给出了一种新结构的ＳｉＧｅ异质结构Ｖ↓［Ｆ］高速二极管，其特征在于它采用ＳｉＧｅ多晶、ＳｉＧｅ赝晶、Ｓｉ单晶多层结构，从而使ＰＮ结的Ｖ↓［Ｆ］大大减小；当ＳｉＧｅ多晶中Ｇｅ组分足够大时，使本发明成为多子器件。本发明具有低Ｖ↓［Ｆ］，高...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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