温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种硅器件层均匀的ＳＯＩ基片及其制造方法，该ＳＯＩ基片包括，硅支承晶片，在支承晶片上部形成的掺杂杂质的氧化膜，在所述掺杂杂质的氧化膜上部形成的、具有均匀厚度的硅器件层，在所述掺杂杂质的氧化膜上部形成的、防止掺杂杂质的氧化膜内的杂...
该专利属于现代电子产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代电子产业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。