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本发明提供了一种硅器件层无损伤的ＳＯＩ基片及其制造方法，在硅基片上形成槽，在硅基片上面及槽内侧壁上形成氧化阻挡膜。之后，以氧化阻挡膜为掩模，对硅基片进行各向同性腐蚀，在槽底面形成沟，对硅基片氧化，形成氧化膜和由所述氧化膜分离的硅器件层。然后...
该专利属于现代电子产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代电子产业株式会社授权不得商用。

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