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提供了一种设有高性能且可靠性高的ＭＯＳ型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。在已形成器件隔离４的硅衬底１上边形成栅极氧化膜２和栅极电极３。其次用４步大倾角离子注入法从２５°倾斜的方向上注入氮离子在栅极氧化膜２的两个端部形成氮氧化层５ａ，在...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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