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一种功率半导体器件，该器件具有形成于阱中源区之间的第一导电类型重掺杂半导体材料的欧姆接触区、形成于阱区中各源区下的扩散层，该扩散层的掺杂量轻于欧姆接触区，重于阱。形成器件的方法包括以下步骤：在阱中源区间形成欧姆接触区，该区有第一导电类型的重...
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