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本发明揭示一种半导体器件的制造方法，通过不用掩膜材料的各向异性蚀刻法除去层间连接孔底部的铜扩散防止膜之际，将不想除去铜扩散防止膜部分的铜扩散防止膜厚度做成比层间连接孔底的铜扩散防止膜厚度来得厚，借此来除去想要除去的铜扩散防止膜。本发明的制造...
该专利属于东芝株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝株式会社授权不得商用。

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