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两侧各被一个沟槽隔离的ＦＥＴ，在隔离沟槽中沿着ＦＥＴ的至少一侧有一电介质。电介质层可以是一层ＯＮＯ，中间扩散了氧化催化剂。氧化催化剂可以是钾。ＦＥＴ沿着贴近ＯＭＯ层侧的栅氧化层比两侧之间的栅氧化层厚。...
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