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向衬底上下方的电极馈送功率而产生变压器耦合等离子体，用Ｃｌ↓［２］和ＨＣｌ作反应物，在低功率和低压下获得金属化层的ＲＩＥ。对Ｔｉ／ＴｉＮ制成的势垒层间的体铝或铝合金的三层金属化进行刻蚀，刻蚀势垒层时使用低Ｃｌ↓［２］量，刻蚀体铝或铝合金层时...该专利属于国际商业机器公司;株式会社东芝;西门子公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司;株式会社东芝;西门子公司授权不得商用。