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一种能制造紧凑的非易失性半导体存储器的制造方法。在此制造方法中，依次进行以下步骤。在氧化区形成步骤中，在半导体衬底中平行地形成多个氧化区。在字线形成步骤中，在形成有多个氧化区的半导体衬底上平行地形成与多个氧化区垂直的多条字线。在蚀刻步骤中，...
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