温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种接触结构，不仅适合异质结双极型晶体管或异质绝缘栅场效应晶体管，也适用于普通半导体器件。在多晶或非晶未掺杂Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体或其合金的半导体层中形成一个接触通孔，其尺寸允许至少部分露出第一导电层和在第一导电层围的绝缘Ｓｉ合金层...该专利属于株式会社日立制作所;日立超爱尔.爱斯.爱工程股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所;日立超爱尔.爱斯.爱工程股份有限公司授权不得商用。