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一种集成电路制造方法，其是在硅半导体基板上制造集成电路元件的微影对准标记的制造方法。主要是在覆盖双井区域的氮化硅层完成之前，利用硅基板中央左右两侧各设置一个对准标记区域的方式，以进行对准，在氮化硅以后的层次，则恢复正常的十个对准标记区域的对...
该专利属于合泰半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合泰半导体股份有限公司授权不得商用。

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