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一种形成半导体器件的隔离层的方法，该方法能防止用作隔离层的氧化层的异常生长，减少有源区应力的产生，从而提高器件的特性。形成包括衬底上的有源区和使有源区相互隔离的器件隔离区的半导体器件的隔离层的方法包括：在半导体衬底的有源区上形成氮化层；在器...
该专利属于LG半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG半导体株式会社授权不得商用。

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