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以Ｂｉ的有机化合物和金属聚烷氧基化合物的混合物为原料，用ＣＶＤ等分子沉积法或旋转涂布－烧结法在基板表面形成Ｂｉ层状结构的强电介质薄膜的方法。在收容槽１ａ和１ｂ中分别封入Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ↓［２］Ｈ↓［５］）↓［６］］↓［２］和Ｂｉ（ＯＣ（ＣＨ...该专利属于松下电器产业株式会社;株式会社高纯度化学研究所;西梅特里克司有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社;株式会社高纯度化学研究所;西梅特里克司有限公司授权不得商用。