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本发明公开了一种超级结器件，器件单元区的栅极结构为沟槽栅，栅极沟槽的深度大于P型体区的结深；栅极沟槽的顶部表面和超结单元的顶部表面相平，多晶硅栅的顶部表面被回刻到低于栅极沟槽的顶部表面；源区由对多晶硅栅顶部的栅极沟槽侧面和栅极沟槽外的P型体...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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