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在ＭＯＳＦＥＴ中，为了抑制由于热载流子而导致的晶体管特性退化，并提高器件的可靠性，通过在漏附近且在ｐ型硅衬底上的ｎ沟道区中连接两种具有不同功函数的材料形成第一和第二栅极，漏附近的反向阈值电压向负方向的漂移量为功函数差，该漂移量大于沟道区中的...
该专利属于冲电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过冲电气工业株式会社授权不得商用。

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