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一种按照本发明的制造半导体器件的电容器的方法包括下述步骤：在低于该Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］膜的晶体化温度的温度下对相应于该电容器的下电极的在金属或金属氧化物电极上形成的Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］膜进行热处理的步骤和在其后在高于或等于该Ｔａ↓［２］...
该专利属于冲电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过冲电气工业株式会社授权不得商用。

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